技术编号:7005413
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,尤其涉及金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法。背景技术减小电路面积对微电子革命是一种经济的动力,集成电路或芯片的电路密度因电路元件尺寸的缩小而不断增加。随着越来越多的元件被设计在集成电路之内,集成电路的复杂性会逐渐增大,因此具备更强的功能性,其中逐渐被纳入许多集成电路中的一种无源元件是金属-绝缘体-金属(Metal Insulator Metal,MIM)电容器,它通常包括层叠布置的材料,材料中至少包括由导电材...
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