技术编号:7005467
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件的形成方法,具体地说,涉及半导体器件中的隔离结构的形成方法。背景技术现代半导体器件,例如金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor, M0S)器件,通常形成在半导体衬底(例如硅衬底)的表面上。半导体器件之间用隔离结构隔开。常见的隔离结构包括结隔离、局部娃氧化(Local Oxidation of Silicon, L0C0S)隔离和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。