技术编号:7005599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有超结结构的半导体器件以及具有超结结构的半导体器件的制造方法。背景技术常规地,改善了半导体器件中的沟槽栅极型超结MOS晶体管的抗雪崩能力,并在对应于 US 2008/0283913 的 JP-A-2008-288367 和 JP-A-2009-43966 中公开了所述器件。在所述器件中,形成超结结构,使得沿着平行于衬底的表面的方向P导电类型区域和N导电类型区域交替布置在N导电类型的衬底上。P导电类型沟道层形成在超结结构的表面部分中。 N+导...
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