技术编号：7005665
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及一种，其中接触部以自对准方式形成，且可以具有高的拉应力或压应力。背景技术目前，集成电路日益缩小，其特征尺寸越来越小并趋近于曝光系统的理论极限。因此，光刻后晶片表面成像将产生严重的畸变，即产生光学邻近效应(Optical ProximityEffect,ΟΡΕ)。随着光刻技术面临更高要求和挑战，提出了能够增强光刻分辨率的双重图形技术(Double Patterning Technology, DPT)。双重图形技术相当于将...
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