技术编号：7005780
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例主要关于半导体器件，更确切地说，是关于包含功率MOS场效应管以及一个或多个带有共栅极和漏极端以及分立的源极端的传感MOS场效应管在内的半导体器件。背景技术在电路中，确定电流流经负载的方法之一就是使用金属氧化物半导体场效应管 (M0S场效应管)，用于电流传感。传统的电流传感功率MOS场效应管通常包含上千个并联在一起的晶体管单元，共享共漏极、源极和栅极电极。器件内的每个晶体管单元或元件都是相同的，器件漏极端的电流在它们之间也相同。在这种设计中常见...
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