技术编号:7006409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造,特别是涉及具有电性缺陷的半导体结构的修复。背景技术在半导体结构制造后,可对其进行漏电流测试以发现是否有漏电流问题。漏电流可能是由半导体结构存在的缺陷所引起。例如,当导电元件经由例如蚀刻、沉积、外延成长、退火等工艺所形成,可能会有悬丝(stringer)或悬桥(bridge)形成,其由导电元件延伸至介电层内。「悬丝」通常指丝状或线状的凸出物、或类似结构,其自导电元件向外伸出或凸出来。例如,钨(W)通常借由化学气相沉积工艺而填入沟渠...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。