技术编号:7006613
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件,特别是涉及一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件。背景技术如图1所示,是现有BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的截面示意图,现有 BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件,形成于硅衬底上,在所述硅衬底上形成有深N阱1, 有源区由浅槽场氧3隔离,在截面上,所述垂直寄生型PNP器件包括一集电区2,由形成于所述有源区中的一 P型离子注入区组成,所述集电区2的深度大于或等于所述浅槽场氧3的底部深度。所述集电区2的P型离...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。