技术编号:7006620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种蓝光LED芯片及其制作方法,特别是涉及一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法。背景技术目前,常见的蓝光LED芯片分为两种,即横向结构(Lateral)的蓝光LED芯片和垂直结构(Vertical)的蓝光LED芯片,其中,所述平面式蓝光LED其P、N电极在同一侧,P、N电极同侧势必需要蚀刻掉部分量子阱来制备N区,从而浪费了相当大的一部分发光面积,且P、N电极同侧具有电流分布不均匀,散热性差等诸多缺点,而电流分布不均匀进而影...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。