技术编号:7006687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及MOS器件形成方法。 背景技术在半导体制造工艺中,经常需要形成MOS器件。一般地,制造MOS器件的步骤包括首先在半导体衬底上形成栅氧层和多晶硅层,然后依次刻蚀所述多晶硅层和栅氧层直至暴露所述半导体衬底形成栅极;接着,以所形成的栅极为掩膜向半导体衬底注入掺杂离子,形成浅掺杂源、漏极;再形成覆盖所述栅极的侧壁的侧墙,并以所述侧墙和栅极为掩膜向半导体衬底注入掺杂离子,形成源、漏极;接着对半导体衬底进行快速热退火(RTA,rapid ...
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