技术编号:7006811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种。背景技术如图I至图6所示,是现有各步骤中的硅基片的剖面图。现有包括如下步骤步骤一、如图I至图3所示,在所述硅基板I上形成衬垫氧化层2 ;在所述衬垫氧化层2上形成氮化硅层3。由所述衬垫氧化层2和所述氮化硅3层组成隔离层。 步骤二、如图4所示,在所述隔离层上即所述氮化硅层3上形成光刻胶4,采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口 5。步骤三、如图5所示,对所述光刻胶窗口 5下方的所述隔离...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。