技术编号:7007553
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种CMOS晶体管的形成方法,包括提供半导体衬底,包括第一区域和第二区域,所述第一区域上形成有第一伪栅结构、位于第一伪栅结构两侧表面的第一侧墙、位于第一伪栅结构上的第一硬掩膜层,第二区域上形成有第二伪栅结构以及位于第二伪栅结构两侧侧壁表面的第二侧墙;形成第二硬掩膜层;在半导体衬底表面形成覆盖第二硬掩膜层的填充层,以及位于第二区域上的部分填充层表面的掩膜层;刻蚀第一区域上的部分厚度的填充层以及位于第一伪栅结构顶部的部分第二硬掩膜层;去除填充层、掩膜层和第二硬...
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