技术编号:7007580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种三极管,包括第一类型衬底;一第二类型阱区;一第一类型轻掺杂区域;一第二类型高掺杂区域;一第一类型高掺杂区域;该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置,该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域,该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域,该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域,该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。专利说明三极管 [0001] 本发明涉及...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。