技术编号：7007586
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，其包括提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成暴露出衬底的开口；沿开口在所述衬底上形成浅沟槽；形成覆盖所述浅沟槽的表面的保护氧化层；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽的第一氧化层；回刻蚀所述第一氧化层；形成覆盖部分所述保护氧化层的补充氧化层；形成覆盖所述保护氧化层及补充氧化层的第二氧化层；平坦化第一氧化层、第二氧化层和保护氧化层直至暴露出所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。该方法可以避免因侧壁顶部氧化硅...
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