技术编号:7007764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高压LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)器件,包括P型沟道区、N型漂移区、耐压层以及位于底部的P型衬底,所述耐压层位于P型衬底及N型漂移区之间。本发明高压LDMOS器件通过引入耐压层,使得工艺上降低了推阱时间,提高了电流通道截面面积,改善导通电阻,同时通过提高纵向耐压提升横向耐压。专利说明高压LDMOS器件 [0001]本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种高压LDMOS器件。 背景技术 [0002]由于B⑶(bipolar-CMOS-DM...
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