技术编号：7007767
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，其方案为以三甲基铝为MO源，NH3为气态源，采用金属有机物化学汽相沉积工艺在蓝宝石表面生长出AlN模板；在生长AlN模板时，三甲基铝先于NH3通入反应室内，通入三甲基铝后延迟1-5秒再通入NH3，NH3与附着在蓝宝石表面的Al原子发生反应后生成AlN，最终在蓝宝石表面生长出AlN模板；NH3和三甲基铝的Ⅴ／Ⅲ比为51~256，反应室内气压为20~50mbar，温度为1200℃。本发明的有益技术效果是方法简单实用，不需要缓冲层，可以在相对较低的衬底温度...
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