技术编号:7007925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管,包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、低温成核层、非掺杂半导体层、n型半导体层、多量子阱有源层、p-AlGaN电子阻挡层、p型半导体层、p+-GaN层、非掺杂InxAlyGa1-x-yN层、n型超晶格结构层和金属电极,所述p+-GaN层、非掺杂InxAlyGa1-x-yN层和n型超晶格结构层共同构成p-i-n隧道结结构。本发明利用p-i-n隧道结结构作为LED芯片顶部的欧姆接触层,既可以提高LED器件电流扩展...
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