技术编号：7007932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种PMOS器件的制作方法，包括提供衬底；在衬底中形成隔离结构、在衬底上方形成栅极和侧墙，并在所述衬底中形成源区以及漏区；在所述源区、漏区以及所述侧墙的表面形成硅层；使所述硅层转化为硅化物接触层；在所述硅化物接触层上形成导电插塞。本发明还提供一种PMOS器件，包括衬底；形成于所述衬底中的隔离结构、源区以及漏区；位于源区以及漏区之间衬底上的栅极以及侧墙；形成于所述源区、漏区和侧墙表面的硅化物接触层；形成于所述硅化物接触层上的导电插塞。本发明的有益效果在于，即...
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