技术编号：7008012
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示一种供在高电压应用中使用的介电终止的超结场效应晶体管FET架构。所述架构将介电终止添加到高电压超结工艺的一般特征。所述介电终止的FET?DFET比常规的半导体终止的超结FET更紧凑且更可制造。专利说明介电终止的超结FET[0001]本专利涉及功率M0S场效应晶体管(FET)，且更特定来说，涉及超结FET。背景技术[0002]可通过在有效区中的p型和η型导电性类型材料的交替柱以及终止区中的电介质柱来制造超结FET。[0003]通常，在垂直导电FET...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。