技术编号:7008273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体石墨和碳纳米管场效应晶体管器件以及允许在石墨和碳纳米管器件中制造接触的方法。背景技术由硅形成的半导体器件通常包括离子掺杂源极和漏极区域。希望邻近器件的栅极形成源极和漏极区域以避免会导致器件中不希望的高寄生电阻的非导电区域。也同样希望避免在栅极的下方形成源极和漏极区域,因为在栅极的下方形成源极和漏极区域会导致器件中不希望的高寄生电容。碳器件可以包括碳材料层,如石墨或者碳纳米管。尽管碳材料并不经常掺杂离子, 但是在碳器件中源极和漏极的位置会影响...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。