发光二极管的制作方法技术资料下载

技术编号:7008463

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本发明公开一种发光二极管,其包括第一型掺杂氮化镓基板、第一型半导体层、主动层、第二型半导体层以及第一电极与第二电极。第一型掺杂氮化镓基板具有一第一掺杂元素。第一型半导体层位于第一型掺杂氮化镓基板上,第一型半导体层具有不同于第一掺杂元素的第二掺杂元素,且第二掺杂元素于第一型掺杂氮化镓基板与第一型半导体层之间的界面具有掺杂浓度的峰值为3E18/cm3至1E20/cm3。主动层位于第一型半导体层上,第二型半导体层位于主动层上。第一电极与该第二电极分别位于第一型掺...
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