技术编号:7008573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,该薄膜晶体管为底栅共平面结构,包括以下步骤步骤1、提供基片(20);步骤2、在基片(20)上形成栅极(22);步骤3、在栅极(22)与基片(20)上形成栅极绝缘层(24);步骤4、在栅极绝缘层(24)上形成源/漏极(26),且该源/漏极(26)上覆盖有感光材料层(27);步骤5、对栅极绝缘层(24)表面进行等离子体处理;步骤6、去除源/漏极(26)上的感光材料层(27);步骤7、在源/漏极(26)及栅极绝缘层(24)上形成氧化物半导体层(2...
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