技术编号：7008683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开。所述发光二极管包括衬底，AlN本征层，n型AlxGa1-xN层，AlxGa1-xN多量子阱层，p型AlxGa1-xN电子阻挡层，P型GaN层，纳米金属颗粒结构，电流扩展层，p型电极，n型电极，倒装基板。本发明利用纳米金属颗粒结构的表面等离激元对材料发光的增强效应来提高AlGaN基紫外发光二极管里AlGaN量子阱的内量子效率，提高了紫外发光二极管的发光效率。本发明采用纳米球刻蚀技术制备纳米金属颗粒结构，需的仪器设备相当低廉，且工艺容易操作，可以在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。