技术编号：7008844
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种双浅沟槽隔离工艺，包括提供衬底，对所述衬底进行光刻涂胶和显影；以氮化硅或非定型碳为阻挡层对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽；对其中一个第一道较浅沟槽所在区域进行光刻胶填充，并对另一个第一道较浅沟槽所在区域显影；以光刻胶为阻挡层对另一个第一道较浅沟槽进行进一步刻蚀，形成第二道较深沟槽；将光刻胶灰化去除并进行化学清洗。本发明先利用高质量的掩模版（氮化硅或非定型碳）进行第一道较浅沟槽的刻蚀，又以光刻胶为阻挡层进行第二道较深沟槽的刻蚀，便可以实现...
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