技术编号:7008873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种沟槽型半导体器件的制作方法。该方法包括在依次具有第一导电类型的基底、漂移层、沟道层的半导体衬底上淀积第一掩膜层和第二掩膜层,利用形成在第二掩膜层中的图形刻蚀沟道层形成沟槽;各向同性地在沟槽底部、沟道侧壁和第二掩膜层上淀积第三掩膜层;各向异性地刻蚀第三掩膜层,剩余沟道顶部的第一掩膜层和第二掩膜层以及沟道侧壁上的第三掩膜层;以所述剩余的第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层作为掩膜,对沟槽底部漂移层中暴露的区域进行离子注入,在漂移层中形成第二导电类型...
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