技术编号:7009166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层,n型AlGaInAs包层,AlGaInAs多量子阱层,p型AlGaInAs包层,InP间隔层,InGaAsP光栅层和InP牺牲层,形成基片,该基片的一侧为有源区,另一侧为合波器区;在合波器区的InP牺牲层中注入P离子并快速热退火;去掉InP牺牲层,在有源区的InGaAsP光栅层中制作光栅;在有源区和合波器区的InGaAsP光栅层上生长p型InP包层及p型InGaAs接触层;采用干法刻蚀去除p型InGaA...
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