技术编号:7009208
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体涉及一种,包括以下步骤提供一半导体衬底,于栅极结构和半导体衬底暴露的上表面生长第一硅化物掩膜层;借助第一掩膜版并采用第一刻蚀工艺去除部分所述第一掩膜层,形成第一掩膜层剩余结构;生长一第二掩膜层同时覆盖第一掩膜层剩余结构和栅极表面及衬底暴露的上表面;借助第二掩膜版采用第二刻蚀工艺刻蚀去除部分第二掩膜层及第一掩膜层剩余结构。采用本发明提供的制备方法可在半导体需要生长纯氧化硅掩膜层区域形成纯氧化硅掩膜层,提高了生产工艺。专利说明[0...
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