技术编号：7009209
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，通过采用两次激光退火工艺来制备镍硅化物，同时保证两次激光退火的稳定在一定范围内，可最终得到一电阻率较低的镍硅化物。由于采用激光进行加热退火，相比较传统工艺速度更快，极大提高了生产效率，降低生产成本；同时采用激光可对硅片必要位置处进行加热，而其余位置处则不进行加热，避免在不必要位置处镍产生扩散并与硅反应生成镍硅化物尖峰从而导致漏电流现象的产生，提高了器件性能。专利说明[0001]本发明涉及半导体晶圆生产工业中镍硅化物生成工艺中，具体涉及。背景技...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。