技术编号:7009213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种多栅SOI-LDMOS器件结构,包括SOI衬底,包括硅衬底、埋氧层及顶硅层;有源区,形成于所述顶硅层中,包括依次相连的源区、沟道区、漂移区、浅掺杂漏区、及漏区;多晶硅栅,包括结合于所述沟道区表面的栅氧层及多晶硅层,所述多晶硅栅被至少一个介质层隔成至少两个短栅结构,且对应所述介质层下方的沟道区中形成有与所述沟道区掺杂类型相反的重掺杂区域。本发明的多栅SOI-LDMOS器件结构,有较高的击穿电压,跨导特性较好,正向导通电阻较小,自热效应较低等特点...
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