技术编号:7009522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,可使半导体元件周边区域的浅沟槽隔离结构减少边缘薄化的情形。使半导体元件在周边区域的一浅沟槽隔离结构的一转角可能实质上没有任何的边缘薄化。专利说明 [0001]本发明涉及一种,特别是涉及一种浅沟槽隔离结构(shallow trench isolat1n structures)和具有该些改良的浅沟槽隔离结构的半导体兀件及其制造方法。 背景技术 [0002]传统上的浅沟槽隔离结构(shallow trench isolat1n st...
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