技术编号:7009669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件。该衬底结构包括衬底;成核层,形成在衬底上并且包括具有与衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III-V族化合物半导体材料;以及缓冲层,形成在成核层上并且包括第一层和第二层,其中,第一层和第二层包括具有比成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III-V族化合物半导体材料。专利说明衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件 [0001] 本公开涉及一种用于形成具有较少缺陷的高质量III-V族化合物半导体的...
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