技术编号:7009841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法,具体涉及。快恢复二极管包括衬底和P区,所述P区在衬底上形成,共同构成PN结,在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区;所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底,在所述衬底N-层上生长有氧化层。本发明提供的沟槽型快恢复二极管,是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处,消除PN结曲率导致的电场集中,通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管,具有制造方式简单,工艺要求低的特点。专利说明[0001]本发明涉及一种电...
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