技术编号:7010564
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种P型掺杂非晶硅薄膜的制备方法及装置,包括一个真空腔室,真空腔室内设有衬底板,衬底加热器,衬底挡板,真空腔室的底部接有真空泵,真空腔室的上方设有与直流电源电连接的金属钽丝和反应气体的进气通道,真空腔室的侧壁装有热反应蒸发器,热反应蒸发器的出口接有陶瓷坩埚,陶瓷坩埚表面法线与衬底板平面之间的夹角为75~85℃,陶瓷坩埚口距衬底板的竖直距离为5~8cm,钽丝距衬底板的距离为10~15cm,陶瓷坩埚的外表面缠绕钽丝,陶瓷坩埚内部设置两层开有圆孔的蒸发...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。