技术编号:7010730
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种,其中,该方法包括以下步骤提供以Ge层为表面的衬底;在Ge层之上形成Sn层,其中,Ge层与Sn层之间的界面为GeSn层;去除Sn层以暴露GeSn层;在GeSn层之上形成金属层。本发明能够提高器件的开关电流比和肖特基器件的电子势垒高度,具有简单易行、成本低的优点。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造领域,具体涉及一种。背景技术[0002]半导体Ge具有较高的电子和空穴迁移率,在新型高性能金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的器件...
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