技术编号：7010746
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种隧穿场效应浮栅晶体管，它包括一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源极和漏极；在半导体衬底内形成的介于源极和漏极之间的一个沟道区域；在半导体衬底之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；在第一层绝缘薄膜之上形成的一个作为电荷存储节点的导电性的浮栅区；在浮栅区和沟道区域之间形成的p-n结二极管；在p-n结二极管与浮栅之间形成的薄栅氧层；覆盖在浮栅区之上的第二层绝缘薄膜；以及在第二层绝缘薄膜之上形成的控制...
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