技术编号：7010888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该结势垒肖特基二极管包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有多个P型掺杂区，所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布，其中，任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等，以致在相同有源区面积的情况下，本发明实施例所需要的P型掺杂区的数量和面积最小，即所谓的“死区”的面积最小。相较于现有技术中的P型掺杂区的分布，这种P型掺杂区的分布有利于提高结势垒肖特基二极管的正向导电能力。专利说明[0001]本发明...
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