技术编号：7011036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，包括提供硅基衬底，并依次沉积低k值介质层、硬掩模薄膜，且在硬掩模薄膜上依次涂布第一旋涂碳薄膜和第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶中，并形成第一金属槽；在硬掩模薄膜中形成第二金属槽；在硬掩模薄膜上依次涂布第二旋涂碳薄膜和第二光刻胶；曝光和显影在第二光刻胶中，并形成第一通孔；在低k值介质层中形成通孔和金属槽；实现导线金属和通孔金属填充。本发明通过使用第一旋涂碳薄膜和第二旋涂碳薄膜，并结合可形成硬膜之第一光刻胶和第二光刻胶，不仅减少了工艺材料和工艺步骤，提高了...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。