技术编号:7011098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层;采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口;采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔,形成具有特定角度的斜面;在该具有特定角度的斜面上制作场板金属。利用本发明,不需要多步干法刻蚀,采用湿法腐蚀的方法,可以防止干法刻蚀过程中对半导体器件表面造成的损伤,且可以形成满足电场均匀分布要求的具有一定倾斜角度的场板斜面。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造,特别是一种在宽禁带外延衬底上使用刻蚀或腐蚀技术形成带...
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