技术编号：7011218
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，在所述生长多量子阱InxGa（1-x）N/GaN层和生长P型GaN层之间，通入NH3、TMGa、TMAl，生长厚度为8-25nm的电子阻挡层；该层包括2-6组双层结构，每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量增加15%-50%。本发明采用了Al组分逐层升高的UAlGaN/UGaN结构作为电子阻挡层，改变了传统P-spacer能带的单一能阶高度分布，减弱了其对空穴注入时...
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