技术编号:7011224
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,包括以下步骤步骤1、在基板(10)上沉积形成第一缓冲层(20);步骤2、通过光罩制程在该第一缓冲层(20)的表面上形成类透镜结构(22);步骤3、在表面形成有类透镜结构(22)的第一缓冲层(20)上沉积形成非晶硅层(40);步骤4、对非晶硅层(40)进行清洗;步骤5、采用强光(50)从基板(10)侧照射非晶硅层(40),以使非晶硅层(40)底部产生籽晶;步骤6、对产生有籽晶的非晶硅层(40)进行激光退火处理,以使非晶硅层(40)中的非晶硅结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。