技术编号：7011503
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提供一种。所述可变电阻存储器件包括多层绝缘层，形成在形成有下电极的半导体衬底上，并且包括直径在第一高度或更高处增大的多个孔；可变电阻材料层，形成在下电极上至每个孔的第二高度；以及上电极，形成在可变电阻材料层上以掩埋在每个孔中。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2013年6月21日向韩国专利局提交的申请号为10-2013-0071497的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。 [0003]本发明构思的各种实施例涉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。