技术编号:7011823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。本发明包括在具有(100)取向的GaAs衬底上生长一层GaSb量子点材料,然后再生长一层GaAs盖帽层将GaSb量子点层钝化保护起来,重复上述周期结构三次以上,以形成多层嵌埋结构的GaSb量子点材料。本发明的优点是其一采用的液相外延技术相比其他生长技术具有成本低廉,操作简便的优势;其二多层量子点结构相比单层量子点结构,其量子点PL发光性能大大改善,半峰宽减小,发光曲线光滑。专利说明[0001]本发明涉及具有光致发光特性的多层结构锑化镓量子...
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