技术编号:7011893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括碳化硅(SiC)的。本发明利用沟槽栅极来增加碳化硅MOSFET中的沟道的宽度。与传统技术相比,根据本发明的示例实施例,可以通过在沟槽的两侧上形成多个延伸到p型外延层的突起来增加沟道的宽度。专利说明[0001]相关申请的交叉参考[0002]本申请要求于2012年12月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2012-0157508的优先权的利益,该申请的全部内容包括在此以供参考。[0003]本发明涉及一种包括碳化硅(SiC)的。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。