技术编号:7011992
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括在玻璃基板上依次设置的多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层以及第三绝缘层,第一金属层与第二金属层相互平行形成第一电容。在第三绝缘层上设有第三金属层,第三金属层与第二金属层相互平行形成第二电容,第二绝缘层与第三绝缘层对应第一金属层与第三金属层位置形成有接触洞,第二金属层形成有用于避开接触洞的避让区域,第三金属层与第一金属层通过接触洞接触导通,从而形成第一电容与第二电容的并联连接。通过在第一电容上增加一第三金属层,使其...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。