技术编号：7012127
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示了一种肖特基二极管，包括半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔离，所述凹槽的深度小于所述保护环的深度。本发明还提供上述肖特基二极管的制作方法。本发明的肖特基二极管能够降低所述肖特基二极管正向压降，并能提高所述肖特基二极管的抗静电能力，提高所述肖特基二极管的性能。专利说明[0001]本发明...
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