技术编号:7012316
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种降低硅凹陷的光阻去除工艺,在对衬底表面的光阻进行去除时,采用洗净溶液对所述衬底表面的光阻进行湿法去除工艺去除光阻,其中,所述洗净溶液包括H2SO4溶液和H2O2溶液,预先加热H2SO4溶液至其温度高于150℃,然后向光阻喷洒温度高于150℃的H2SO4溶液的同时,向光阻喷洒H2O2溶液。采用本发明的光阻去除工艺,可以有效降低硅凹陷,减少掺杂损耗,从而可以制成稳定且性能较高的半导体器件,且该工艺简单可控,能够满足工艺的需求,同时降低了生产成本...
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