技术编号：7012421
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，包含制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench-RB-IGBT。本发明提供的Trench-RB-IGBT的制备方法，在IGBT的背面刻蚀形成沟槽，芯片之间划片后的断面为垂直面，不会出现脆弱的尖角，因此相对现有方案更加坚固。专利说明—种Trench-RB-1GBT的制备方法[0001]本发明涉及IGBT的制造，特别涉及一种Trench-RB-1GBT的制...
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