技术编号：7012765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，尤其是一种SiCN薄膜中C元素的去除方法，以及含有SiCN薄膜的监控片的循环再生处理工艺。其中，C元素的去除方法为使用O3等离子体对SiCN薄膜中的C元素进行灰化处理，氧自由基与SiCN薄膜中的C元素反应形成CO或CO2被抽离。本发明使用O3灰化工艺代替传统的O2灰化工艺，O3可在较低能量下形成氧自由基，所以O3等离子体与O2等离子体相比，氧化能力更强，从而C元素的去除能力也更强，以达到优化SiCN的循环再使用目的，增加硅片的重复使用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。