技术编号:7012801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是,是在水平热壁式化学气相沉积(CVD)设备中进行,包括1)衬底准备选取偏向<11-20>方向4°的0001硅面碳化硅衬底;2)生长前烘烤准备好的样品送至反应室之后,通入气体之前,使用射频感应加热反应室;3)原位刻蚀使用改良的氢气H2原位刻蚀技术对衬底进行生长前表面预处理;4)外延生长当温度升温至外延生长温度时开始生长碳化硅薄膜。优点采用本方法可以有效减少基于偏向<11-20>方向4°的(0001)硅面碳化硅衬底上外延薄膜中存...
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