技术编号:7012962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种多晶硅反应炉,在该反应炉内壁的垂直方向设置有多个进气口,本发明通过改变反应炉进气口的口径大小或者改变气体流速,进而改善图形密集区和图形疏松区的厚度差异,提升了生产工艺;同时发明不需要大幅度调整更换现有的反应炉设备,也无需变动工艺制程,实现成本较低,适合在各领域广泛推广。专利说明多晶娃反应炉[0001]本发明涉及半导体制备领域,确切的说,涉及一种多晶硅反应炉。背景技术[0002]随着芯片特征尺寸进入40纳米以下,对栅多晶硅生长的片内厚度均匀性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。