技术编号：7013065
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，首先从钽酸锂晶圆片上切片减薄获得线列探测器所需晶片尺寸，然后在晶片背面制备条形电极，形成探测器下电极，该电极亦为线列各单元公用电极；然后在晶片正面形成各单元所需上电极图形；然后结合光刻形成单元隔离槽。最后在下电极上制备太赫兹吸收层。至此得到线列探测器敏感元结构。该结构结合MEMS（微机电系统）加工技术，可获得良好的热隔离效果，且加工工艺相对于微桥结构太赫兹探测器较为简单。专利说明[0001]本发明属于太赫兹探测与成像领域，具体涉及一种。背...
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